Supporto tecnico per il riscaldamento dei wafer

Fri, 19 Jun 2026 02:18:30 +0800

Nelle linee di produzione, anche un cambiamento di temperatura di soli 0,5°C su tutta la superficie del wafer può causare problemi nella fase di essiccazione del fotoretardante, con conseguente alterazione della larghezza delle linee tracciate e scarto di prodotto. Abbiamo progettato questa piattaforma di riscaldamento proprio per mantenere il comportamento termico entro i limiti previsti dal processo, shift dopo shift.

Cosa è importante da considerare
Riusciamo a mantenere una uniformità della temperatura di ±0,1°C su tutta la superficie del wafer; inoltre, la precisione del valore di regolazione rimane entro lo stesso intervallo di tolleranza. La piattaforma è progettata per funzionare in ambienti a norma ISO 1–100, senza generare particelle indesiderate. Le zone di riscaldamento a onde infrarosse a breve e media lunghezza, insieme alle zone di riscaldamento isolate da materiale di quarzo, permettono una risposta termica rapida e senza contatto fisico con il wafer. È possibile controllare precisi parametri termici senza danneggiare la superficie del wafer. I profili di essiccazione predefiniti garantiscono stabilità nel corso dei diversi cicli di produzione; inoltre, il sistema si stabilizza rapidamente, riducendo così i tempi di avvio e l’energia consumata inutilmente.

Tecnico on Warm IR Heating Rays

Supporto tecnico per il riscaldamento dei wafer