<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Konveksi on Warm IR Heating Rays</title>
		<link>http://warm-ir-heater-ray.com/ms/tags/konveksi/</link>
		<description>Recent content in Konveksi on Warm IR Heating Rays</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Thu, 18 Jun 2026 01:10:07 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://warm-ir-heater-ray.com/ms/tags/konveksi/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Inframerah berbanding kaedah konveksi untuk pengeringan wafer</title>
				<link>http://warm-ir-heater-ray.com/ms/posts/infrared-vs-convection-for-wafer-drying/</link>
				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 01:10:07 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-heater-ray.com/ms/posts/infrared-vs-convection-for-wafer-drying/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heater-ray.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png&#34; alt=&#34;Inframerah berbanding kaedah konveksi untuk pengeringan wafer&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Pada garis pengeluaran 300mm, masa henti yang tidak dirancang serta kehadiran zarah-zarah halus merupakan masalah utama. Selama bertahun-tahun, ketuhar konveksial digunakan untuk proses pengeringan dan pembakaran, namun prosesnya lambat, terdapat &lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;perbezaan&lt;/a&gt; suhu yang ketara, dan aliran udara boleh menyebabkan zarah-zarah halus muncul, sehingga menjejaskan kualiti produk. Apabila masa proses diukur dalam saat dan darjah Celsius, teknologi inframerah memberikan profil haba yang lebih baik – cepat, tepat, dan bersih.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Dari segi teknikal, yang penting adalah &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;laluan&lt;/a&gt; haba. Teknologi inframerah memanaskan permukaan wafer secara langsung, menggunakan pancaran gelombang pendek atau sederhana untuk memastikan pemanasan yang cepat dan terkawal. Ini membolehkan keseragaman suhu pada tahap wafer sekitar ±0.1°C, serta proses pembakaran yang konsisten. Selain itu, waktu pemulihan setelah pintu dibuka juga sangat singkat. Kelas bilik bersih 1–100 dapat dicapai kerana tiada kipas yang beroperasi, dan laluan cahaya tertutup rapat, sehingga penghasilan zarah-zarah halus hampir tidak ada. Penggunaan tenaga juga berkurangan, kerana tenaga digunakan untuk memanaskan wafer, bukan dinding bilik atau udara di dalamnya.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
