लिथोग्राफी प्रक्रिया में, “सॉफ्ट बेक” एवं “हार्ड बेक” केवल तापीय प्रक्रियाएँ ही नहीं हैं; बल्कि ये तो आयामी नियंत्रण उपाय भी हैं। वेफर पर 2°C का अंतर भी उसके महत्वपूर्ण आयामों को प्रभावित कर सकता है। गर्म क्षेत्र में उत्पन्न होने वाले कण भी वेफर को नष्ट कर सकते हैं। इसलिए हमने ऐसा इन्फ्रारेड हीटिंग मॉड्यूल विकसित किया है, जो आवश्यक स्थानों पर ही ऊष्मा प्रदान करता है, बिना किसी प्रकार के प्रदूषण के।
यह मॉड्यूल छोटी-तरंगदैर्घ्य वाले इन्फ्रारेड उत्सर्जकों का उपयोग करता है; ये उत्सर्जक वेफर की आकृति के अनुसार अलग-अलग क्षेत्रों में स्थित होते हैं। प्रक्रिया के दौरान वेफर पर तापमान की एकरूपता ±0.1°C होती है, जबकि बैचों के बीच तापमान में भिन्नता ±0.2°C होती है। गर्म क्षेत्र हमेशा स्वच्छ रहता है – क्वार्ट्ज एवं रिफ्लेक्टरों का उपयोग किया जाता है, ताकि कम से कम गैस निकले। स्थिर संचालन के दौरान कोई कण भी उत्पन्न नहीं होता। क्लास 1–100 के क्लीनरूमों में भी यह मॉड्यूल स्थिर तापमान बनाए रखता है, बिना कणों की संख्या में कोई वृद्धि के। फोटोरेसिस्ट के उपयोग में भी सुधार होता है, एवं बैचों के बीच CD में होने वाली भिन्नता भी कम हो जाती है।
इस मॉड्यूल के कारण प्रक्रिया में अधिक लचीलापन आता है। “सॉफ्ट बेक” की पुनरावृत्ति से कणों की संख्या में कमी आती है, एवं ओवरले यील्ड में सुधार होता है। “हार्ड बेक” की निरंतरता से आसंजन एवं एटचिंग प्रक्रिया में सुधार होता है; इससे अपशिष्ट एवं पुनर्कार्य की आवश्यकता कम हो जाती है। इसके अलावा, यह मॉड्यूल पूरे चेम्बर को गर्म रखने की आवश्यकता को कम करता है, जिससे ऊर्जा की खपत भी कम होती है। मॉड्यूलर संरचना के कारण रखरखाव के दौरान मॉड्यूलों को आसानी से बदला जा सकता है, जिससे अनपлान्ड डाउनटाइम भी कम हो जाता है।
इसकी स्थापना मशीन के इंटरफेस एवं एक्जॉस्ट कनेक्शन के माध्यम से होती है। मॉड्यूल को कैरियर पथ के साथ सही तरीके से संरेखित करना आवश्यक है; इसके बाद निर्धारित प्रवाह दर से हवा प्रवाहित की जाती है, ताकि गर्म क्षेत्र अलग रहे। यह मॉड्यूल मानक सेमीकंडक्टर उपकरणों के आकार में ही फिट होता है; लेकिन स्थापना के दौरान वायरिंग एवं नियंत्रण प्रणाली की जाँच आवश्यक है, ताकि यह आपकी MES/PM प्रणालियों के अनुरूप हो।