در فرآیند لیتوگرافی، مراحل پخت نرم و سخت، صرفاً مراحل حرارتی نیستند؛ بلکه این مراحل، محدودیتهای ابعادی مهمی را تعیین میکنند. تغییر دما در حدود ۲ درجه سانتیگراد میتواند باعث تغییر ابعاد کلیدی ویفر شود؛ همچنین، وجود یک ذره در منطقه داغ میتواند باعث خرابی کل ویفر شود. بنابراین، ما یک ماژول گرمایشی مبتنی بر اشعه مادون قرمز طراحی کردیم؛ این ماژول، دما را در نقاط مهم تنظیم میکند، بدون ایجاد آلودگی.
این ماژول از فرستندههای اشعه مادون قرمز کوتاهامواج استفاده میکند؛ این فرستندهها در مناطقی که به صورت جداگانه کنترل میشوند، قرار دارند. در سطح ویفر، یکنواختی دما در حدود ±۰.۱ درجه سانتیگراد است؛ همچنین، تکرارپذیری دما در بین دستههای مختلف، در حدود ±۰.۲ درجه سانتیگراد است. منطقه داغ نیز تمیز باقی میماند؛ زیرا از قطعات کوارتز و بازتابندههایی استفاده شده است که باعث کاهش گازهای تولید شده میشوند. همچنین، در حین عملکرد پایدار، هیچ ذرهای تولید نمیشود. در اتاقهای تمیز کلاس ۱–۱۰۰، این ماژول، پروفایلهای پخت پایداری را حفظ میکند و تعداد ذرات نیز افزایش نمییابد. همچنین، تغییرات ابعادی درون یک دسته از ویفرها نیز کاهش مییابد.
این روش، فضای کافی برای فرآیند تولید را فراهم میکند؛ تکرارپذیری پخت نرم، باعث بهبود کیفیت ویفرها میشود. یکنواختی پخت سخت نیز باعث بهبود چسبندگی و انتخابپذیری فرآیند حکاکی میشود؛ بنابراین، میزان ضایعات و نیاز به تعمیرات کاهش مییابد. روش منطقهایسازی، مصرف انرژی را نیز کاهش میدهد؛ زیرا از گرم شدن کل محفظه جلوگیری میشود. همچنین، ساختار ماژولاری این دستگاه، امکان تعویض سریع ماژولها در هنگام تعمیرات پیشگیرانه را فراهم میکند؛ در نتیجه، زمان توقف غیرمنتظره دستگاه کاهش مییابد.
نصب این ماژول، به رابط ماشین و سیستم تخلیه گازها بستگی دارد؛ باید ماژول را در مسیر مناسب قرار داد و سپس جریان هوا را به حد مشخصی تنظیم کرد تا منطقه داغ از سایر بخشها جدا شود. این ماژول، با استانداردهای تجهیزات نیمههادی سازگار است؛ اما باید در هنگام راهاندازی، سیمکشی و سیستم کنترل را بررسی کرد تا با سیستمهای MES و PM شما سازگار باشد.