在光刻工序中，软烘和硬烘并非单纯的加热步骤，其实它们是控制芯片尺寸的重要环节。如果晶圆的温度出现2°C的波动，就会导致芯片的关键尺寸发生变化；而热区域中产生的任何微粒都可能破坏整个芯片。因此，我们设计了分区式的红外加热模块，能够精确控制关键区域的温度，同时避免污染的产生。
该模块采用短波红外发射器，这些发射器被安置在可独立控制的区域内，这些区域是根据晶圆的几何结构来设计的。在整个加工过程中，晶圆表面的温度均匀性可保持在±0.1°C左右，而不同批次之间的温度重复性则可达±0.2°C。热区域保持清洁状态：因为采用了石英和反射器组件，所以几乎不会产生气体排放，而且在这种设计下，设备在稳定运行时不会产生任何微粒。在1-100级洁净室环境中，该模块能够维持稳定的加热效果，同时不会增加微粒数量。这样一来，光刻胶的固化过程就能更加精确，各批次之间芯片尺寸的差异也会减小。
这样一来，工艺流程的稳定性得到了提升。软烘过程的重复性更高，从而减少了边缘缺陷，提升了成品率。硬烘过程的稳定性则有助于提高材料附着力和刻蚀选择性，进而减少废品率和返工率。此外，分区式设计还能降低能耗，因为不需要让整个腔体一直处于加热状态。而模块化的设计则使得在预防性维护时可以快速更换模块，从而避免不必要的停机时间。
安装时，只需将模块与机器接口及排气系统连接起来即可。确保模块与传送路径对齐，然后以规定的流量进行排气处理，从而保持热区域的隔离状态。该模块适合标准半导体设备的安装要求，但在调试时需确认其接线和控制逻辑，确保其与MES和PM系统相兼容。