Hãy cùng bàn về phương pháp sấy khô wafer bằng tia hồng ngoại nhé. Chúng ta đã từ bỏ những lò nung kiểu truyền thống và chuyển sang sử dụng phương pháp sấy khô bằng tia hồng ngoại. Tại sao vậy? Bởi vì các tiêu chuẩn “xanh” và “không chứa chì” trong các nhà máy sản xuất hiện đại không còn chỉ là những khuyến nghị nữa – chúng đã trở thành quy định bắt buộc.
Điểm khác biệt lớn nằm ở cách mà nhiệt được truyền đến bề mặt wafer. Thay vì làm nóng toàn bộ khoang chứa không khí, tia hồng ngoại trực tiếp chiếu vào bề mặt wafer. Đó chính là nguyên lý vật lý đằng sau phương pháp này.
Hãy tưởng tượng như ánh nắng mặt trời chiếu vào da bạn vào những ngày lạnh. Bạn không cần chờ không khí xung quanh ấm lên; bạn sẽ cảm nhận được hơi nóng ngay lập tức. Tia hồng ngoại cũng hoạt động theo cách tương tự: nó sử dụng bức xạ điện từ để truyền nhiệt từ đèn sang bề mặt wafer. Không cần thông qua bất kỳ yếu tố trung gian nào, và cũng không cần lãng phí năng lượng để làm nóng lượng khí nitơ lớn.
Quá trình sấy khô diễn ra rất nhanh – chỉ trong vài giây thôi. Đó chính là lý do tại sao phương pháp này giúp tiết kiệm năng lượng một cách hiệu quả.
Vấn đề liên quan đến tính “xanh” của sản phẩm
Chất keo dán không chứa chì khá khó sử dụng. Nó có thể chịu được nhiệt độ cao, nhưng nếu nhiệt độ không được kiểm soát tốt, bề mặt wafer sẽ bị hư hại. Với phương pháp sấy khô bằng tia hồng ngoại, chúng ta có thể điều chỉnh bước sóng sao cho phù hợp với khả năng hấp thụ nhiệt của vật liệu wafer.
Ngoài ra, phương pháp này còn giúp giảm ô nhiễm môi trường. Không cần sử dụng lửa để làm nóng, nên không có khí thải hay chất gây ô nhiễm nào được thải ra. Đây đúng là giải pháp lý tưởng cho các phòng sạch – không có quá trình đốt cháy, không có khói bụi, và cũng không cần lo lắng về tình trạng ô nhiễm.
Vấn đề nan giải: Khoảng cách giữa đèn và wafer
Đây chính là điểm mà các kỹ sư thường gặp khó khăn. Đó chính là khoảng cách giữa đèn và bề mặt wafer. Nếu khoảng cách quá gần, có thể gây ra các điểm nóng hoặc làm tan chảy lớp phim bảo vệ trên bề mặt wafer. Nhưng nếu khoảng cách quá xa, tốc độ sấy khô sẽ giảm, và bạn sẽ lãng phí thời gian. Chúng ta thường xác định khoảng cách này bằng cách xem xét công suất của đèn và khối lượng nhiệt của wafer.
Một điều cuối cùng cần lưu ý: tia hồng ngoại có cường độ cao sẽ tạo ra áp lực lớn lên hệ thống làm mát. Nếu bạn cố gắng tăng công suất đèn để rút ngắn thời gian sấy khô, hệ thống làm mát cần phải đủ mạnh để loại bỏ lượng nhiệt dư thừa. Nếu không, bề mặt wafer sẽ bị biến dạng. Và chắc chắn ai cũng không muốn điều đó xảy ra.