リソグラフィーの工程において、ソフトベイクやハードベイクというのは単なる加熱処理ではありません。それらは、ウエハの寸法を制御するための重要な工程なのです。ウエハの温度が2℃変動するだけで、重要な寸法が変わってしまいます。また、ホットゾーンで発生した微粒子が、多くの製品を損傷させる可能性があります。そこで、汚染を引き起こすことなく、重要な部分のみを適切に加熱できるゾーン別の赤外線ヒーターモジュールを開発しました。
このモジュールは、短波長の赤外線を利用しており、ウエハの形状に合わせて独立して制御されるゾーンに配置されています。プロセス面全体でのウエハの温度均一性は±0.1℃であり、ロット間の温度再現性も±0.2℃です。ホットゾーンは清潔に保たれており、ガス放出が少ないクォーツや反射板が使用されています。そのため、安定した運転中に微粒子が発生することはありません。クラス1～100のクリーンルーム内では、粒子数の増加がなく、安定した加熱プロファイルが維持されます。フォトレジストの加熱条件も厳格に管理され、バッチ内のCDのばらつきも減少します。
これにより、実際のプロセスの自由度が高まります。ソフトベイクの再現性が向上し、エッジビードの問題が解消され、オーバーレイの歩留まりが向上します。ハードベイクの一貫性が高まることで、接着力やエッチングの選択性が向上し、廃棄品や再作業が減少します。また、ゾーン別の加熱方式により、チャンバー全体を無駄に加熱する必要がなく、エネルギーの消費も削減されます。モジュール型の構造により、予防保守時に迅速にモジュールを交換でき、計画外の停止時間を防ぐことができます。
設置にあたっては、マシンのインターフェースや排気系との接続が重要です。モジュールをキャリアパスに正しく配置し、指定された流量で排気を行うことで、ホットゾーンを隔離します。このモジュールは、標準的な半導体装置のサイズに適合しますが、導入時には配線や制御機能がMESやPMの仕様に合致しているかを確認する必要があります。